- Package / Case：
-
- Supplier Device Package：
-
- FET Feature：
-
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：
-
- Vgs(th) (Max) @ Id：
-
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
-
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
-
6 Рекорды
| Изображение | Часть | Производитель | Описание | Минимальный заказ | Снабжать |
Интернет Сервис
|
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Rochester Electronics | POWER FIELD-EFFE... |
1,128 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
onsemi | MOSFET 2P-CH 20V 3.1... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Vishay | MOSFET 2N-CH 30V 3.1... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Rochester Electronics | POWER FIELD-EFFE... |
244 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Vishay | MOSFET 2N-CH 30V 3.1... |
1 | 1,768 | Получить предложение | |
|
|
onsemi | MOSFET 4N-CH 100V 3.... |
1 | 5,800 | Получить предложение |
