- Part Status:
-
- Package / Case:
-
- Supplier Device Package:
-
- FET Feature:
-
- Rds On (Max) @ Id, Vgs:
-
- Vgs(th) (Max) @ Id:
-
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
-
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
-
15 Рекорды
Изображение | Часть | Производитель | Описание | Минимальный заказ | Снабжать |
Интернет Сервис
|
---|---|---|---|---|---|---|
onsemi | MOSFET 2P-CH 20V 3.1... |
1 | 2,905 | Получить предложение | ||
NXP Semiconductors | MOSFET 2N-CH 30V 3.1... |
1,202 | 5,800 | Получить предложение | ||
Vishay | MOSFET 2N-CH 20V 3.1... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
onsemi | MOSFET 2N-CH 30V 3.1... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
Vishay | MOSFET 2N-CH 20V 3.1... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
Vishay | MOSFET 2P-CH 12V 3.1... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
Vishay | MOSFET 2P-CH 12V 3.1... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
onsemi | MOSFET 2N-CH 20V 3.1... |
1,519 | 81,000 | Получить предложение | ||
Rochester Electronics | N-CHANNEL POWER M... |
551 | 5,800 | Получить предложение | ||
Rochester Electronics | POWER FIELD-EFFE... |
1,128 | 5,800 | Получить предложение | ||
onsemi | MOSFET 2P-CH 20V 3.1... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
Vishay | MOSFET 2N-CH 30V 3.1... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
Rochester Electronics | POWER FIELD-EFFE... |
244 | 5,800 | Получить предложение | ||
Vishay | MOSFET 2N-CH 30V 3.1... |
1 | 1,768 | Получить предложение | ||
onsemi | MOSFET 4N-CH 100V 3.... |
1 | 5,800 | Получить предложение |