三星拥有能够与台积电相抗衡的技术3nm FinFET工艺能力

7nm以下工艺制造的大量订单。消息人士称,几乎所有能够开发3nm芯片设计并能够承受不断增加的代工成本的供应商都已向台积电下订单。这家纯代工厂已经看到客户通过预付款排队等待其可用的3nm FinFET工艺能力的场景。

Porotech获2000万美元融资,专注MicroLED微显示技术和新型纳米多孔氮化镓材料技术

多孔氮化镓 (GaN) 半导体材料开发商和MicroLED技术提供商Porotech宣布完成A轮融资,由阿米巴资本领投,三星风投,弘晖基金,及个人投资人跟投。

由于晶圆代工产能紧缺,不少网络通信芯片的主流厂商等不及成熟制程扩产,因此变更产品的设计方案,提前升级使用台积电的6nm制程,并且重金包下产能,甚至有网络通信芯片大厂已在去年年底与代工厂签下三年期以上的长约。

5G与高性能计算(HPC)等数字化转型方向是台积电今后业绩提升的主要驱动力之一,如今,已经清晰可见网络通信芯片客户将制程技术从28nm升级到16nm、并进一步升级至6nm的趋势。

三星拥有能够与台积电相抗衡的技术,但由于三星在智能手机业务上与苹果有竞争关系.

由关闭到打开的功能操作过程中,休眠状态下的电流<100uA,而唤醒状态下的电流>10mA,在动态的瞬间,电机启动电流一般大于800mA,射频模块的发射电流一般大于30mA。


高效率的DC-DC就可以保证动态与静态的电源效率,可实际上你会发现,在低功耗uA级别电流的层面上,目前市面上的DC-DC芯片很难同时兼顾轻重载效率。

一个普通的Buck DC-DC芯片,可以在电流消耗100mA的条件下轻而易举地达到85%以上的效率,然而在50uA的情况下,其转化效率通常远低于50%.