- Operating Temperature:
-
- Package / Case:
-
- Supplier Device Package:
-
- Voltage - Supply:
-
- Current - Quiescent (Max):
-
- Max Propagation Delay @ V, Max CL:
-
- Logic Level - Low:
-
- Logic Level - High:
-
38 Рекорды
Изображение | Часть | Производитель | Описание | Минимальный заказ | Снабжать |
Интернет Сервис
|
---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
Rochester Electronics | IC GATE NAND 1CH 2... |
8,334 | 5,800 | Получить предложение | |
![]() |
onsemi | IC GATE NAND 1CH 2... |
5,970 | 5,800 | Получить предложение | |
![]() |
Rochester Electronics | IC GATE NAND 1CH 2... |
6,000 | 5,800 | Получить предложение | |
![]() |
onsemi | IC GATE NAND 1CH 2... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
![]() |
onsemi | IC GATE NAND 1CH 2... |
1,255 | 19,980 | Получить предложение | |
![]() |
onsemi | IC GATE NAND 1CH 2... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
![]() |
onsemi | IC GATE NAND 2CH 2... |
5,000 | 5,800 | Получить предложение | |
![]() |
Nexperia | IC GATE NAND 1CH 2... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
![]() |
onsemi | IC GATE NAND 1CH 2... |
1,972 | 162,000 | Получить предложение | |
![]() |
onsemi | IC GATE NAND 1CH 2... |
2,551 | 5,800 | Получить предложение | |
![]() |
onsemi | IC GATE NAND 1CH 2... |
5,000 | 5,800 | Получить предложение | |
![]() |
Rochester Electronics | IC GATE NAND 1CH 2... |
4,007 | 5,800 | Получить предложение | |
![]() |
onsemi | IC GATE NAND 1CH 2... |
3,000 | 141,000 | Получить предложение | |
![]() |
ABLIC | IC GATE NAND 1CH 2... |
3,000 | 5,800 | Получить предложение | |
![]() |
onsemi | IC GATE NAND 1CH 2... |
3,000 | 5,800 | Получить предложение | |
![]() |
onsemi | IC GATE NAND 1CH 2... |
9,000 | 5,800 | Получить предложение | |
![]() |
onsemi | IC GATE NAND 1CH 2... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
![]() |
onsemi | IC GATE NAND 1CH 2... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
![]() |
onsemi | IC GATE NAND 1CH 2... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
![]() |
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | IC GATE NAND 1CH 2... |
1 | 5,800 | Получить предложение |