- Производитель：
-
- onsemi (2)
- Part Status：
-
- Operating Temperature：
-
- Package / Case：
-
- Supplier Device Package：
-
- Reverse Recovery Time (trr)：
-
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)：
-
- IGBT Type：
-
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic：
-
- Switching Energy：
-
- Gate Charge：
-
- Td (on/off) @ 25°C：
-
9 Рекорды
| Изображение | Часть | Производитель | Описание | Минимальный заказ | Снабжать |
Интернет Сервис
|
|---|---|---|---|---|---|---|
|
onsemi | IGBT 1200V 40A 348W TO... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Rochester Electronics | INSULATED GATE B... |
116 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Diodes Incorporated | IGBT 1200V-X TO247 TU... |
450 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
onsemi | IGBT TRENCH/FS 130... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
ROHM Semiconductor | HIGH-SPEED FAST S... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
ROHM Semiconductor | HIGH-SPEED FAST S... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
ROHM Semiconductor | HIGH-SPEED FAST S... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Rochester Electronics | IGBT, 40A, 1200V, N-CH... |
145 | 548,814 | Получить предложение | |
|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | D-IGBT TO-247 VCES=... |
1 | 120 | Получить предложение |
