- Производитель：
-
- onsemi (4)
- Part Status：
-
- Operating Temperature：
-
- Mounting Type：
-
- Package / Case：
-
- Supplier Device Package：
-
- IGBT Type：
-
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic：
-
- Current - Collector Pulsed (Icm)：
-
- Switching Energy：
-
- Gate Charge：
-
- Td (on/off) @ 25°C：
-
14 Рекорды
| Изображение | Часть | Производитель | Описание | Минимальный заказ | Снабжать |
Интернет Сервис
|
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Renesas Electronics Corporation | IGBT 430V TO200FL |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
onsemi | IGBT 400V 30W TO220 |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
onsemi | IGBT TRENCH/FS 650... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Rochester Electronics | IGBT 430V TO220F-3FS |
63 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Infineon Technologies | IGBT 600V 6A 30W TO22... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Infineon Technologies | IGBT 600V 6A 30W TO26... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
onsemi | IGBT 600V 6A 30W DPA... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
onsemi | IGBT 600V 6A 30W DPA... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Infineon Technologies | IGBT 600V 6A 30W TO25... |
599 | 5,000 | Получить предложение | |
|
|
Rochester Electronics | INSULATED GATE B... |
272 | 1,159 | Получить предложение | |
|
|
NTE Electronics, Inc. | IGBT-N-CHAN ENHAN... |
1 | 76 | Получить предложение | |
|
|
NTE Electronics, Inc. | IGBT-N-CHAN ENHAN... |
1 | 117 | Получить предложение | |
|
|
Rochester Electronics | N-CHANNEL IGBT |
902 | 40,512 | Получить предложение | |
|
|
Rochester Electronics | N-CHANNEL IGBT |
1,312 | 96,810 | Получить предложение |
