- Производитель:
-
- onsemi (2)
- Part Status:
-
- Operating Temperature:
-
- Package / Case:
-
- Supplier Device Package:
-
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):
-
- IGBT Type:
-
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic:
-
- Switching Energy:
-
- Gate Charge:
-
- Test Condition:
-
5 Рекорды
Изображение | Часть | Производитель | Описание | Минимальный заказ | Снабжать |
Интернет Сервис
|
---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
onsemi | IGBT 1200V 40A 348W TO... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
![]() |
Rochester Electronics | INSULATED GATE B... |
116 | 5,800 | Получить предложение | |
![]() |
onsemi | IGBT TRENCH/FS 130... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
![]() |
Rochester Electronics | IGBT, 40A, 1200V, N-CH... |
145 | 548,814 | Получить предложение | |
![]() |
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | D-IGBT TO-247 VCES=... |
1 | 120 | Получить предложение |