- Производитель:
-
- Part Status:
-
- Operating Temperature:
-
- Supplier Device Package:
-
- Reverse Recovery Time (trr):
-
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):
-
- IGBT Type:
-
- Switching Energy:
-
- Gate Charge:
-
- Td (on/off) @ 25°C:
-
11 Рекорды
Изображение | Часть | Производитель | Описание | Минимальный заказ | Снабжать |
Интернет Сервис
|
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | IGBT 1200V 100A TO247A... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
Infineon Technologies | IGBT 1200V 100A 420W T... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
ROHM Semiconductor | HIGH-SPEED FAST S... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
Infineon Technologies | INDUSTRY 14 PG-TO2... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
Infineon Technologies | IHFW40N65R5SXKSA1 |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
ROHM Semiconductor | HIGH-SPEED FAST S... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
STMicroelectronics | TRENCH GATE FIEL... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
STMicroelectronics | TRENCH GATE FIEL... |
1 | 43 | Получить предложение | ||
Rochester Electronics | IGBT WITH ULTRAF... |
50 | 34,981 | Получить предложение | ||
STMicroelectronics | PTD HIGH VOLTAGE |
600 | 5,800 | Получить предложение | ||
Rochester Electronics | IRG8P60N120 - DISCRE... |
44 | 9,000 | Получить предложение |