- Производитель:
-
- onsemi (8)
- Part Status:
-
- Operating Temperature:
-
- Package / Case:
-
- Supplier Device Package:
-
- Reverse Recovery Time (trr):
-
- IGBT Type:
-
- Switching Energy:
-
- Gate Charge:
-
- Td (on/off) @ 25°C:
-
25 Рекорды
Изображение | Часть | Производитель | Описание | Минимальный заказ | Снабжать |
Интернет Сервис
|
---|---|---|---|---|---|---|
Rochester Electronics | IGBT TRENCH 650V 90... |
79 | 3,406 | Получить предложение | ||
onsemi | FS3 T TO247 75A 650V 4W... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
onsemi | 650V FS4 TRENCH IGB... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
Infineon Technologies | IGBT 650V 140A 455W TO... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
Infineon Technologies | IGBT 650V 140A 455W TO... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
Rochester Electronics | IGBT 650V 140A 450W TO... |
46 | 5,800 | Получить предложение | ||
Infineon Technologies | IGBT 650V 140A 450W TO... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
Rochester Electronics | IKZ75N65 - DISCRETE... |
10 | 5,800 | Получить предложение | ||
Infineon Technologies | INDUSTRY 14 |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
Rochester Electronics | IGBT FIELD STOP 6... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
onsemi | 650V75A FS4 IGBT TO-... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
onsemi | 650V/75A FS4 IGBT TO... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
Rochester Electronics | IGBT TRENCH 650V 11... |
106 | 2,080 | Получить предложение | ||
Rochester Electronics | IGBT 650V 90A W/DIO ... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
Rochester Electronics | IGBT W/ULTRAFAST... |
41 | 5,800 | Получить предложение | ||
onsemi | 650V 75A FS4 TRENCH ... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
onsemi | IGBT WITH SIC COP... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
Infineon Technologies | INDUSTRY 14 |
1 | 114 | Получить предложение | ||
Rochester Electronics | IGBT WITH RECOVE... |
55 | 141 | Получить предложение | ||
onsemi | 650V FS4 TRENCH IGB... |
1 | 320 | Получить предложение |