- Part Status:
-
- Operating Temperature:
-
- Package / Case:
-
- Power - Max:
-
- Supplier Device Package:
-
- Reverse Recovery Time (trr):
-
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic:
-
- Switching Energy:
-
- Gate Charge:
-
- Td (on/off) @ 25°C:
-
17 Рекорды
Изображение | Часть | Производитель | Описание | Минимальный заказ | Снабжать |
Интернет Сервис
|
---|---|---|---|---|---|---|
SemiQ | IGBT 1200V 30A 212W TO... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
Infineon Technologies | IGBT 1200V 30A 254W TO... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
Infineon Technologies | IGBT 1200V 30A 113W TO... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
Infineon Technologies | IGBT 1200V 30A 357W TO... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
onsemi | IGBT 1200V 30A 186W TO... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
onsemi | IGBT 1200V 30A 220W TO... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
ROHM Semiconductor | 10US SHORT-CIRCUI... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
ROHM Semiconductor | 10US SHORT-CIRCUI... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
Rochester Electronics | IGBT, 30A, 1200V, N-CH... |
153 | 5,800 | Получить предложение | ||
Infineon Technologies | IGBT 1200V 30A 110W TO... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
Rochester Electronics | IGBT 1200V 30A TO247-3 |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
Infineon Technologies | IGBT 1200V 30A 254W TO... |
1 | 17 | Получить предложение | ||
onsemi | IGBT 1200V 30A 186W TO... |
1 | 270 | Получить предложение | ||
Rochester Electronics | IGBT, 30A, 1200V, N-CH... |
182 | 5,800 | Получить предложение | ||
Infineon Technologies | IGBT NPT/TRENCH 1... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
ROHM Semiconductor | 10US SHORT-CIRCUI... |
1 | 442 | Получить предложение | ||
ROHM Semiconductor | 10US SHORT-CIRCUI... |
1 | 450 | Получить предложение |