- Part Status：
-
- Operating Temperature：
-
- Power - Max：
-
- Supplier Device Package：
-
- Reverse Recovery Time (trr)：
-
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)：
-
- IGBT Type：
-
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic：
-
- Switching Energy：
-
- Gate Charge：
-
- Td (on/off) @ 25°C：
-
19 Рекорды
| Изображение | Часть | Производитель | Описание | Минимальный заказ | Снабжать |
Интернет Сервис
|
|---|---|---|---|---|---|---|
|
onsemi | IGBT 650V 60A 176W TO... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
onsemi | IGBT FIELD STOP 6... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
SemiQ | IGBT 1350V 60A 329W TO... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
onsemi | IGBT 1200V 60A 339W TO... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
SemiQ | IGBT 1200V 60A 329W TO... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Rochester Electronics | INSULATED GATE B... |
116 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
STMicroelectronics | IGBT 1250V 60A 375W TO... |
600 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
onsemi | IGBT TRENCH/FS 130... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Rochester Electronics | INSULATED GATE B... |
154 | 11,102 | Получить предложение | |
|
|
Rochester Electronics | INSULATED GATE B... |
172 | 28,165 | Получить предложение | |
|
|
Rochester Electronics | INSULATED GATE B... |
219 | 368 | Получить предложение | |
|
|
STMicroelectronics | IGBT 600V 60A 258W TO... |
1 | 93 | Получить предложение | |
|
|
NTE Electronics, Inc. | IGBT-900V 60AMP |
1 | 12 | Получить предложение | |
|
|
onsemi | IGBT TRENCH/FS 600... |
1 | 439 | Получить предложение | |
|
|
STMicroelectronics | IGBT 600V 60A 260W TO... |
1 | 542 | Получить предложение | |
|
|
Rochester Electronics | IGBT TRENCH/FS 650... |
172 | 30,000 | Получить предложение | |
|
|
STMicroelectronics | IGBT TRENCH 650V 60... |
600 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Rochester Electronics | IGBT TRENCH/FS 600... |
219 | 1,800 | Получить предложение | |
|
|
STMicroelectronics | IGBT 600V 60A 260W TO... |
1 | 387 | Получить предложение |
