- Производитель：
-
- onsemi (10)
- Part Status：
-
- Operating Temperature：
-
- Mounting Type：
-
- Package / Case：
-
- Power - Max：
-
- Supplier Device Package：
-
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)：
-
- IGBT Type：
-
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic：
-
- Gate Charge：
-
19 Рекорды
| Изображение | Часть | Производитель | Описание | Минимальный заказ | Снабжать |
Интернет Сервис
|
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Infineon Technologies | IGBT 3 CHIP 600V |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Infineon Technologies | IGBT 1200V 40A DIE |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
onsemi | IGBT TRENCH/FS 110... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
onsemi | IGBT 1500V 40A 200W TO... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
onsemi | IGBT 450V 50.4W TO220F |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
onsemi | IGBT TRENCH FIEL... |
115 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
onsemi | IGBT TRENCH FIEL... |
116 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Rochester Electronics | INSULATED GATE B... |
163 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Rochester Electronics | N-CHANNEL IGBT |
36 | 459 | Получить предложение | |
|
|
Rochester Electronics | 35A, 1200V, N-CHANNEL... |
76 | 577 | Получить предложение | |
|
|
Rochester Electronics | IGBT, 300V, N-CHANN... |
228 | 800 | Получить предложение | |
|
|
Rochester Electronics | N-CHANNEL IGBT |
321 | 2,543 | Получить предложение | |
|
|
onsemi | IGBT TRENCH FIEL... |
194 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
onsemi | IGBT TRENCH FIEL... |
194 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
onsemi | IGBT TRENCH FIEL... |
209 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
onsemi | IGBT 300V 46.8W TO220F |
1,000 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
onsemi | IGBT TRENCH FIEL... |
261 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Rochester Electronics | 35A, 1200V, N-CHANNEL... |
81 | 776 | Получить предложение | |
|
|
Rochester Electronics | 35A, 1200V, N-CHANNEL... |
81 | 4,073 | Получить предложение |
