- Производитель：
-
- Vishay (3)
- Operating Temperature：
-
- Package / Case：
-
- Supplier Device Package：
-
- FET Type：
-
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
-
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：
-
- Vgs(th) (Max) @ Id：
-
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
-
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
-
15 Рекорды
| Изображение | Часть | Производитель | Описание | Минимальный заказ | Снабжать |
Интернет Сервис
|
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Vishay | MOSFET 2N-CH 20V 3.9... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
ROHM Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V 2... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
ROHM Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 2.5... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET 2NCH 20V 14.5... |
3,000 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 5.2... |
2,500 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Vishay | MOSFET 2N-CH 20V 5.2... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Vishay | MOSFET 2N-CH 20V 5.2... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
ROHM Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V 2... |
1 | 36,384 | Получить предложение | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CHA 20V 1... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
ROHM Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 1.5... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 8V-2... |
3,000 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
ROHM Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 1A... |
1 | 2,491 | Получить предложение | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 8V-2... |
10,000 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET 2P-CH 20V 4A... |
3,000 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET 2P-CH 20V 4A... |
1 | 2,880 | Получить предложение |
