- Part Status:
-
- Package / Case:
-
- Supplier Device Package:
-
- FET Feature:
-
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
-
- Rds On (Max) @ Id, Vgs:
-
- Vgs(th) (Max) @ Id:
-
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
-
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
-
10 Рекорды
Изображение | Часть | Производитель | Описание | Минимальный заказ | Снабжать |
Интернет Сервис
|
---|---|---|---|---|---|---|
onsemi | MOSFET 2P-CH 20V 3A... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
ROHM Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V 2... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
ROHM Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 2.5... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
Panasonic | MOSFET 2N-CH 20V 7A... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
Panasonic | MOSFET 2N-CH 20V 7A... |
1 | 4,983 | Получить предложение | ||
ROHM Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V 2... |
1 | 36,384 | Получить предложение | ||
ROHM Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 1.5... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
ROHM Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 1A... |
1 | 2,491 | Получить предложение | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET 2P-CH 20V 4A... |
3,000 | 5,800 | Получить предложение | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET 2P-CH 20V 4A... |
1 | 2,880 | Получить предложение |