- Package / Case：
-
- Power - Max：
-
- Supplier Device Package：
-
- FET Feature：
-
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
-
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：
-
- Vgs(th) (Max) @ Id：
-
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
-
8 Рекорды
| Изображение | Часть | Производитель | Описание | Минимальный заказ | Снабжать |
Интернет Сервис
|
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 50V 0.3... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.3... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.3... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 50V 305... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 50V 0.3... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.3... |
1 | 11,163 | Получить предложение | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET N-CHAN 41V ... |
1 | 37,413 | Получить предложение | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 41V-... |
3,000 | 5,800 | Получить предложение |
