- Производитель：
-
- Part Status：
-
- Operating Temperature：
-
- Power - Max：
-
- Supplier Device Package：
-
- FET Type：
-
- FET Feature：
-
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
-
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：
-
- Vgs(th) (Max) @ Id：
-
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
-
9 Рекорды
| Изображение | Часть | Производитель | Описание | Минимальный заказ | Снабжать |
Интернет Сервис
|
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 4.3... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 4.3... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 4.3... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 4A... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 4A... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 4.3... |
1 | 27,337 | Получить предложение | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 4.3... |
1 | 2,995 | Получить предложение | |
|
|
Rochester Electronics | AUTOMOTIVE HEXFE... |
913 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Taiwan Semiconductor | MOSFET 2 N-CH 30V 5.... |
1 | 12,313 | Получить предложение |
