- Производитель：
-
- Package / Case：
-
- Supplier Device Package：
-
- FET Feature：
-
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
-
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：
-
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
-
4 Рекорды
| Изображение | Часть | Производитель | Описание | Минимальный заказ | Снабжать |
Интернет Сервис
|
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 61V-... |
2,000 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 61V-... |
3,000 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 30V 10P... |
1 | 4 | Получить предложение | |
|
|
Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 30V 10P... |
1 | 788 | Получить предложение |
