- Package / Case：
-
- Power - Max：
-
- Supplier Device Package：
-
- FET Feature：
-
- Drain to Source Voltage (Vdss)：
-
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
-
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：
-
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
-
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
-
18 Рекорды
| Изображение | Часть | Производитель | Описание | Минимальный заказ | Снабжать |
Интернет Сервис
|
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Vishay | MOSFET N-CH 30V SM... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | MOSFET P-CH 30V 6TS... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | MOSFET 2P-CH 30V 2.3... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Vishay | MOSFET 2N-CH 30V 4.5... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Vishay | MOSFET 2N-CH 190V 0.... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Vishay | MOSFET 2P-CH 12V 4.8... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Vishay | MOSFET 2P-CH 20V 3.4... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Vishay | MOSFET 2P-CH 12V 4.8... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Vishay | MOSFET 2P-CH 20V 3.6... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Vishay | MOSFET 2P-CH 20V 3.4... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 20V 3.2... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
onsemi | MOSFET 2P-CH 20V 1.4... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Vishay | MOSFET 2N-CH 20V 4A... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Vishay | MOSFET 2N-CH 20V 4A... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
onsemi | MOSFET 2P-CH 20V 1.6... |
1,069 | 9,000 | Получить предложение | |
|
|
onsemi | MOSFET 2P-CH 20V 1.4... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Vishay | MOSFET N/P-CH 20V/8... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Taiwan Semiconductor | MOSFET 2 P-CH 20V 4.... |
1 | 2,489 | Получить предложение |
