- Part Status:
-
- Operating Temperature:
-
- Power - Max:
-
- FET Type:
-
- FET Feature:
-
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
-
- Rds On (Max) @ Id, Vgs:
-
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
-
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
-
44 Рекорды
Изображение | Часть | Производитель | Описание | Минимальный заказ | Снабжать |
Интернет Сервис
|
---|---|---|---|---|---|---|
STMicroelectronics | MOSFET 2P-CH 60V 3A... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
onsemi | MOSFET 2P-CH 20V 3.8... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
Vishay | MOSFET 2N-CH 20V 8S... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
Vishay | MOSFET 2N-CH 20V 8A... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
onsemi | MOSFET 2N-CH 20V 9.4... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
onsemi | MOSFET N/P-CH 20V 6... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 4A... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 4A... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
onsemi | MOSFET 2N-CH 20V 6.5... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
Rochester Electronics | POWER FIELD-EFFE... |
584 | 82,006 | Получить предложение | ||
Texas Instruments | MOSFET 2P-CH 15V 1.1... |
1 | 2,349 | Получить предложение | ||
Rochester Electronics | N-CHANNEL POWER M... |
340 | 13,319 | Получить предложение | ||
Rochester Electronics | P-CHANNEL POWER M... |
473 | 45,594 | Получить предложение | ||
Rochester Electronics | N-CHANNEL POWER M... |
555 | 2,140 | Получить предложение | ||
onsemi | MOSFET 2N-CH 20V 9.4... |
1 | 9,554 | Получить предложение | ||
Rochester Electronics | POWER FIELD-EFFE... |
206 | 5,800 | Получить предложение | ||
Rochester Electronics | N-CHANNEL POWER ... |
1,374 | 6,165 | Получить предложение | ||
Rochester Electronics | POWER FIELD-EFFE... |
479 | 5,800 | Получить предложение | ||
Rochester Electronics | P-CHANNEL POWER M... |
1,374 | 22,868 | Получить предложение | ||
Rochester Electronics | POWER FIELD-EFFE... |
806 | 5,800 | Получить предложение |