Power - Max:
Supplier Device Package:
Drain to Source Voltage (Vdss):
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
Изображение Часть Производитель Описание Минимальный заказ Снабжать
Интернет Сервис
TPC8211(TE12L,Q,M) Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
MOSFET 2N-CH 30V 5.5...
1 5,800 Получить предложение
TPCP8203(TE85L,F) Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
MOSFET 2N-CH 40V 4.7...
1 5,800 Получить предложение
1 / 1 Page, 2 Records