- Operating Temperature:
-
- Power - Max:
-
- FET Type:
-
- FET Feature:
-
- Drain to Source Voltage (Vdss):
-
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
-
- Rds On (Max) @ Id, Vgs:
-
- Vgs(th) (Max) @ Id:
-
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
-
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
-
9 Рекорды
Изображение | Часть | Производитель | Описание | Минимальный заказ | Снабжать |
Интернет Сервис
|
---|---|---|---|---|---|---|
Microchip Technology | PM-MOSFET-SIC-SBD... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
Microchip Technology | PM-MOSFET-SIC-SBD... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
Microchip Technology | PM-MOSFET-SIC-SBD... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
Microchip Technology | PM-MOSFET-SIC-SBD... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
Microchip Technology | PM-MOSFET-SIC-SBD... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
Microchip Technology | PM-MOSFET-SIC-SBD... |
1 | 1 | Получить предложение | ||
Microchip Technology | PM-MOSFET-SIC-SBD... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
Microchip Technology | PM-MOSFET-SIC-SBD... |
1 | 3 | Получить предложение | ||
Microchip Technology | PM-MOSFET-SIC-SBD... |
1 | 2 | Получить предложение |