- Power - Max：
-
- FET Type：
-
- FET Feature：
-
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
-
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：
-
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
-
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
-
13 Рекорды
| Изображение | Часть | Производитель | Описание | Минимальный заказ | Снабжать |
Интернет Сервис
|
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 12V 6... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET 2PCH 12V 3.9A... |
3,000 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 12V 5... |
10,000 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 12V U... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 12V 6... |
10,000 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 12V 3.8... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 12V 5... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 12V 5.6... |
1 | 101,130 | Получить предложение | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 12V U... |
10,000 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 8V 2... |
3,000 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 8V 2... |
10,000 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 12V 3.8... |
10,000 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 12V 5.6... |
10,000 | 5,800 | Получить предложение |
