- FET Feature:
-
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
-
- Rds On (Max) @ Id, Vgs:
-
- Vgs(th) (Max) @ Id:
-
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
-
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
-
16 Рекорды
Изображение | Часть | Производитель | Описание | Минимальный заказ | Снабжать |
Интернет Сервис
|
---|---|---|---|---|---|---|
Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 3.3... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CHA 30V 7... |
10,000 | 5,800 | Получить предложение | ||
Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 4.7... |
3,000 | 5,800 | Получить предложение | ||
Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 4.7... |
10,000 | 5,800 | Получить предложение | ||
Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 3.3... |
1 | 9,877 | Получить предложение | ||
Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CHA 30V 7... |
1 | 31 | Получить предложение | ||
Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 6.2... |
1 | 34 | Получить предложение | ||
Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 6.2... |
1 | 790 | Получить предложение | ||
Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 12V 5.6... |
1 | 101,130 | Получить предложение | ||
Diodes Incorporated | MOSFET 2NCH 30V 6.2A... |
10,000 | 5,800 | Получить предложение | ||
Diodes Incorporated | MOSFET 2 N-CH 5A UD... |
3,000 | 5,800 | Получить предложение | ||
Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 8V-2... |
3,000 | 5,800 | Получить предложение | ||
Diodes Incorporated | MOSFET 2 N-CH 5A UD... |
10,000 | 5,800 | Получить предложение | ||
Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 8V-2... |
10,000 | 5,800 | Получить предложение | ||
Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 6.2... |
10,000 | 5,800 | Получить предложение | ||
Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 12V 5.6... |
10,000 | 5,800 | Получить предложение |