- Part Status:
-
- Operating Temperature:
-
- Package / Case:
-
- Supplier Device Package:
-
- FET Feature:
-
- Rds On (Max) @ Id, Vgs:
-
- Vgs(th) (Max) @ Id:
-
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
-
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
-
12 Рекорды
Изображение | Часть | Производитель | Описание | Минимальный заказ | Снабжать |
Интернет Сервис
|
---|---|---|---|---|---|---|
Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 20V 4A... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
onsemi | MOSFET 2P-CH 20V 4A... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 20V 4A... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
Vishay | MOSFET 2P-CH 20V 4A... |
1 | 87 | Получить предложение | ||
Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 4A... |
816 | 5,800 | Получить предложение | ||
Vishay | MOSFET 2P-CH 20V 4A... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
STMicroelectronics | MOSFET 2P-CH 20V 4A... |
1 | 125 | Получить предложение | ||
Rochester Electronics | P-CHANNEL POWER M... |
451 | 47,862 | Получить предложение | ||
Vishay | MOSFET 2P-CH 20V 4A... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
Vishay | MOSFET 2P-CH 20V 4A... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET 2P-CH 20V 4A... |
3,000 | 5,800 | Получить предложение | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET 2P-CH 20V 4A... |
1 | 2,880 | Получить предложение |