- Part Status：
-
- Power - Max：
-
- Supplier Device Package：
-
- FET Feature：
-
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
-
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：
-
- Vgs(th) (Max) @ Id：
-
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
-
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
-
31 Рекорды
| Изображение | Часть | Производитель | Описание | Минимальный заказ | Снабжать |
Интернет Сервис
|
|---|---|---|---|---|---|---|
|
onsemi | MOSFET 2P-CH 20V 430... |
3,606 | 681,003 | Получить предложение | |
|
|
onsemi | MOSFET 2P-CH 20V 0.1... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Rochester Electronics | POWER FIELD-EFFE... |
20 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 8V-2... |
3,000 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 8V-2... |
3,000 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 8V-2... |
10,000 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 8V-2... |
10,000 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
PANJIT | 20V P-CHANNEL ENHA... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
PANJIT | 30V P-CHANNEL ENHA... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
PANJIT | 20V P-CHANNEL ENHA... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
PANJIT | 60V P-CHANNEL ENHA... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
onsemi | MOSFET 2P-CH 20V 350... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Vishay | MOSFET 2P-CH 20V 0.3... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Nexperia | MOSFET 2P-CH 20V 0.5... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Nexperia | MOSFET 2P-CH 50V 170... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Vishay | MOSFET 2P-CH 60V 0.1... |
1 | 21 | Получить предложение | |
|
|
Rochester Electronics | SMALL SIGNAL FIE... |
1,823 | 133,062 | Получить предложение | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 50V 0.1... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
onsemi | MOSFET 2P-CH 20V 830... |
1 | 370 | Получить предложение | |
|
|
Nexperia | MOSFET 2P-CH 30V 220... |
1 | 135 | Получить предложение |
