- Part Status:
-
- Package / Case:
-
- Power - Max:
-
- Supplier Device Package:
-
- FET Feature:
-
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
-
- Rds On (Max) @ Id, Vgs:
-
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
-
30 Рекорды
Изображение | Часть | Производитель | Описание | Минимальный заказ | Снабжать |
Интернет Сервис
|
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 4.7... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 20V 5.8... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 3.9... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 2.2... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 2.9... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 4.7... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 4.3... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 3.9... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 2.2... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 2.9... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 4.7... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 3.9... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 7.9... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 4.7... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
PANJIT | 20V P-CHANNEL ENHA... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
onsemi | MOSFET 2P-CH 20V 2.1... |
1,374 | 95,300 | Получить предложение | ||
PANJIT | 20V P-CHANNEL ENHA... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
onsemi | MOSFET 2P-CH 20V 2.1... |
3,000 | 3,000 | Получить предложение | ||
onsemi | MOSFET 2P-CH 20V 4.8... |
1 | 5,800 | Получить предложение | ||
Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 20V 0.9... |
1 | 5,800 | Получить предложение |