- Производитель：
-
- onsemi (8)
- Part Status：
-
- FET Feature：
-
- Drain to Source Voltage (Vdss)：
-
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
-
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：
-
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
-
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
-
14 Рекорды
| Изображение | Часть | Производитель | Описание | Минимальный заказ | Снабжать |
Интернет Сервис
|
|---|---|---|---|---|---|---|
|
onsemi | MOSFET 2P-CH 20V 3.8... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
onsemi | MOSFET 2P-CH 20V 2.8... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
onsemi | MOSFET 2N-CH 20V 4.5... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
onsemi | MOSFET 2P-CH 20V 4A... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
onsemi | MOSFET N/P-CH 30V/2... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
onsemi | MOSFET 2N-CH 50V 3A... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Rochester Electronics | N-CHANNEL POWER M... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Rochester Electronics | POWER FIELD-EFFE... |
571 | 28,572 | Получить предложение | |
|
|
onsemi | MOSFET 2N-CH 30V 5A... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
onsemi | MOSFET 2N-CH 30V 5.5... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Rochester Electronics | N-CHANNEL POWER M... |
419 | 12,067 | Получить предложение | |
|
|
Rochester Electronics | P-CHANNEL POWER M... |
451 | 47,862 | Получить предложение | |
|
|
Rochester Electronics | P-CHANNEL POWER M... |
525 | 5,000 | Получить предложение | |
|
|
Rochester Electronics | P-CHANNEL POWER M... |
925 | 5,800 | Получить предложение |
