Транзисторы - биполярные (BJT) - RF - Платформа для закупки чипов

Part Status：

Package / Case：

Power - Max：

Supplier Device Package：

Current - Collector (Ic) (Max)：

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)：

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：

Frequency - Transition：

Gain：

Фильтр：

4 Рекорды

Часть	Производитель	Описание	Минимальный заказ	Снабжать	Интернет Сервис
MT3S113P(TE12L,F)	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation	RF TRANS NPN 5.3V 7...	1	1,637	Получить предложение
MT3S20P(TE12L,F)	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation	RF TRANS NPN 12V 7G...	1	4	Получить предложение
MT3S113(TE85L,F)	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation	RF TRANS NPN 5.3V 1...	3,000	5,800	Получить предложение
MT3S113TU,LF	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation	RF TRANS NPN 5.3V 1...	3,000	5,800	Получить предложение

1 / 1 Page, 4 Records