晶体管 - FET、MOSFET - 阵列

Power - Max：

FET Feature：

Drain to Source Voltage (Vdss)：

Rds On (Max) @ Id, Vgs：

Vgs(th) (Max) @ Id：

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：

已选条件：

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图片	型号	品牌	描述	起订量	库存	在线客服
	SSM6N39TU,LF	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation	MOSFET 2 N-CHANNE...	3,000	5,800	提交询价
	SSM6N40TU,LF	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation	SMALL SIGNAL MOS...	1	1,982	提交询价

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