晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列

Power - Max：

Supplier Device Package：

Current - Collector (Ic) (Max)：

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)：

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：

已选条件：

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图片	型号	品牌	描述	起订量	库存	在线客服
	PBSS4350SSJ	Nexperia	TRANS 2NPN 50V 2.7A ...	1	5,800	提交询价
	TPCP8701(TE85L,F,M	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation	X35 PB-F POWER MOS...	1	5,800	提交询价

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